日本东北大学电气通信研究所的大野英男与日立制作所基础研究所的研究小组合作，成功利用输出功率较高的金属制成的TMR元件，在室温条件下以全球最小的电流密度105A/cm2实现了电磁转换。此项技术可减小MRAM的写入电流，因此有望推进Gbit级MRAM的实用化进程。  　　得益于全球内存厂商的大力投入，目前Mbit级MRAM的实用化研究进展顺利。不过，要想进一步扩大容量、实现Gbit级MRAM，还必须要解决几大技术难题。其中最大的技术课题就是如何降低写入电流。要想使Gbit级MRAM达到实用化水平，就必须将TMR元件的写入电流密度减小至106A/cm2以下。不过，目前为止在各种学会上发表的TMR元件写入电流密度均在106A/cm2以上。 　　此次东北大学与日立制作所的联合开发小组通过调整TMR元件的材料等，成功实现了电流密度8.8×105A/cm2的电磁转换。具体而言，通过采用氧化镁作为TMR元件的绝缘膜、在强磁性薄膜中采用钴铁硼，提高了MR比。此外，通过在TMR元件记录层中采用钴铁硼，降低了记录层电磁转换所需的能量，使得更易于发生电磁转换。这样一来，成功降低了电磁转换所需的电流密度。在降低写入电流密度同时，还通过采用氧化铝作为绝缘膜将TMR元件的输出电压最大提高到了此前的5倍。由于可增大读出电流，所以降低了对读出放大器的性能要求，有助于提高读出速度。 (日经BP社)