据PHYSORG网站2006年8月9日报道，英国剑桥大学的研究人员最近在350oC的温度下成功研发出纳米管，在此温度下该纳米管能够与目前的互补型金属氧化物半导体（CMOS）技术进行完全整合。  这种研制碳纳米管的新方法有望成为革新纳米技术和推动未来电子领域发展的新动力。

　　碳纳米管是当今世界纳米技术进步的主要推动力，它们具有卓越的机械和电子属性，尤其是它们的电子属性对于新一代的电子学研究形成了巨大的吸引力。

　　增强小型组件的效率性能是走向小型化技术的关键所在。碳纳米管将既会被成功应用于那些尖端精密的领域，在日常电子产品中（如移动电话、计算机等）也会见到它们的踪影。

　　迄今为止，生产碳纳米管一直是在高温下进行的，而且普遍认为在500oC以下是不可能产出碳纳米管的。这种思维排除了将纳米管应用于电子设备的想法。试图在400－450oC的温度下整合形成纳米管实际上会损坏金属内部的电介质，这种电介质通常存在于互补型金属氧化物半导体设备的构造之中。

　　一群剑桥大学工程部的研究人员在350oC的温度下成功地得到单壁碳纳米管。该研究小组由米尔柯?堪托罗、史德范?荷夫曼、安德瑞阿?法拉利和约翰?罗伯逊负责，并与剑桥大学的日立实验室和材料科学部的同事们展开了合作。

　　这些纳米管是经过热化学气相沉积法（这种化学处理方法通常在半导体产业中使用）处理而成，有望成为整合现有纳米电子设备的预选方案。

　　这项研究结果也为生产碳纳米管的机制提供了新思路。在此之前，催化剂必须是液态的想法一直贯穿于整个碳纳米管的生产过程，但是现在在更低的温度下也成功生产出了碳纳米管，这都归功于固态催化剂的发现。这些发现进而推动了其他纳米结构的催化生产。

　　这项研究的论文发表于最近的一期《纳米快报》上，题目为“低温下单壁碳纳米管的催化化学气相沉积”。（章田/雅龙）