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韩国开发出超大容量记忆芯片

www.ohmcn.com 2006年9月12日

    韩国三星电子公司宣布,已经开发出一款可以存储3.6万张高分辨率照片或40个电影文件的大容量芯片。   2005年9月,三星电子曾首次采用50纳米制造技术开发出了16Gb容量的NAND闪存记忆芯片。前不久,该公司宣布首次采用40纳米制造技术开发出了32Gb容量的NAND闪存芯片。这一技术极大地提高了NAND闪存记忆芯片的使用寿命,也使这种芯片在数码相机、mp3播放器以及其他多媒体工具上得到广泛应用。   三星电子公司总裁黄昌圭表示,新产品有更高的可靠性,还可以更好地控制数据存储。 (河南报业网)

 
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