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中国科学家在纳米信息存储材料领域再获突破

www.ohmcn.com 2007年4月30日

    最近,中国科学院物理研究所和化学所在纳米信息存储材料领域再获突破,在此前工作的基础上成功地在H2 Rotaxane分子薄膜中实现了可逆的电导变化和可擦除、稳定、重复的近于单分子尺度的纳米级存储。 

  具有稳定、重复、可逆电导转变的功能材料及其在信息存储中的应用是超高密度信息存储研究的重要方向之一。在过去的十多年里,中国科学院物理研究所高鸿钧研究组与化学所有机固体院重点实验室宋延林研究员和张德清研究员通过对有机分子功能基团的修饰,控制分子的结构与物性,成功实现这一目标。 

  据介绍,Rotaxane类分子在溶液中可以发生可逆的分子构型改变,并随之引起分子电导转变。最新研究成功近期出版的《美国化学学会会志》发表了这一结果。这是目前为止该类分子结构与电导转变的最直接证据,对Rotaxane类分子在分子电子学中的进一步应用具有重要意义。 (思雨) 

  来源:TOM科技

 
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